抗辐射电子元器件标准抗辐射电子元器件标准是什么光学镜头

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1、docx文档大小：12.6K文档页数：2页顶/踩数：0/0收藏人数：0评论次数：0文档热度：文档分类：待分类系统标签：抗辐射电子元器件晶体管器件二极管极晶体管。在抗辐射加固电子系统的设计中，一个首要的任务是如何合理地选择电子元器件。选择的一般原则是，所选用的器件既能实现系统的电气性能指标，又具有较好的抗辐射潜力。

2、双极型器件抗中子辐照的能力差，最敏感的参数是电流放大系数hFE。MOS器件抗电离辐照的能力差，最敏感的参数是阀值电压VT。MOS场效应管的抗中子辐射能力比双极晶体管高1～2个数量级，但它的抗电离辐射能力却比双极晶体管低2～3个数量级。在分立半导体器件中，闸流管、单结晶体管和太阳能电池的抗辐射能力最差，所以应该尽可能避免在辐射环境中使用此类器件。

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抗辐射电子元器件标准规范

电子元器件检验规范标准。ail****e2认证信息。孙**（实名认证）。《电子元器件检验规范标准》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电子元器件检验规范标准（54页珍藏版）》请在人人文库网上搜索。本规适用于电阻类元器件的入厂检验。电阻类元器件包括：电阻、功率电阻、热敏电阻、可调电阻、压敏电阻、精密电阻、排阻、电位器。

2技术要求、检验方法、检验手段、设备、工具及抽样方法电阻类元器件的技术要求、检验方法、检验手段、设备、工具及抽样方法见表1表8。表1电阻序号检验项目技术要求和检验方法检验手段、设备及工具抽样方法1外观、规格表面。光亮、无秀斑、标识清楚、尺寸大小。MY-6型数字式万用表3可焊性用电烙铁对电阻上锡，锡应能牢固地粘附在引脚上不会脱落。

抗辐射电子元器件标准是什么

照的能力差，最敏感的参数是阀值电压VT。MOS场效应管的抗中子辐射能力比双极晶体管高1～。2个数量级，但它的抗电离辐射能力却比双极晶体管低2～3个数量级。在分立半导体器件中，闸流管、单结晶体管和太阳能电池的抗辐射能力最差，所以应该尽。可能避免在辐射环境中使用此类器件。在二极管中隧道二极管的抗辐射能力最强，其次为电压调整二极管和电压基准二极管，普。

在具有不同的参数指标、结构或管芯材料的双极二极管中，大功率晶体管的抗辐射能力优。于小功率晶体管，高频晶体管优于低频晶体管，开关晶体管优于放大晶体管，锗晶体管优于硅晶。npn晶体管优于pnp晶体管。在不同类型的器件中，半导体二极管的抗辐射能力优于晶体管三极管，结型场效应管的抗。

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